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TEM氮化硅薄膜窗口

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

與X射線(xiàn)用氮化硅窗口類(lèi)似,透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗口也使用低應力氮化硅薄膜基底。但整體尺度更小,適合TEM裝樣的要求。窗口有單窗口和多窗口陣列等不同規格。同時(shí)SHNTI也定制多孔氮化硅薄膜窗口。

產(chǎn)品型號:
更新時(shí)間:2024-06-17
廠(chǎng)商性質(zhì):代理商
訪(fǎng)問(wèn)量:4917

:/admin@shnti.com

透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗口
產(chǎn)品概述:
與X射線(xiàn)用氮化硅窗口類(lèi)似,透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗口也使用低應力氮化硅薄膜基底。但整體尺度更小,適合TEM裝樣的要求。窗口有單窗口和多窗口陣列等不同規格。同時(shí)SHNTI也定制多孔氮化硅薄膜窗口。

 

現在SHNTI可以提供透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗系列產(chǎn)品,規格如下:
外框尺寸:

  • 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:0.5 mm,薄膜厚度:50 nm)
  • 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:1.0 mm,薄膜厚度:50 nm)
  • 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:1.0 mm,薄膜厚度:100 nm)
  • 窗口類(lèi)別:雙縫、九窗格(3×3陣列)

邊框厚度: 200μm、381μm。 
Si3N4薄膜厚度: 50nm、100nm
SHNTI也可以為用戶(hù)定制產(chǎn)品(30-200nm),但要100片起訂。
本產(chǎn)品為一次性產(chǎn)品,SHNTI不建議用戶(hù)重復使用,本產(chǎn)品不能進(jìn)行超聲清洗,適合化學(xué)清洗、輝光放電和等離子體清洗。

技術(shù)指標:
表面平整度:
我們認為薄膜與其下的硅片同樣平整, TEM用氮化硅薄膜窗口的表面粗糙度為:0.6-2nm。*適用于TEM表征。

親水性
該窗格呈疏水性,如果樣品取自水懸浮液,懸浮微粒則不能均勻地分布在薄膜上。用等離子蝕刻機對薄膜進(jìn)行親水處理,可暫時(shí)獲得親水效果。雖然沒(méi)有對其使用壽命進(jìn)行過(guò)測試,但預期可以獲得與同樣處理的鍍碳TEM網(wǎng)格相當的壽命。我們可以生產(chǎn)此種蝕刻窗格,但無(wú)法保證其使用壽命。如果實(shí)驗室有蝕刻工具也可對其進(jìn)行相應的處理提高其親水性能。



溫度特性:
氮化硅薄膜窗口產(chǎn)品是耐高溫產(chǎn)品,能夠承受1000度高溫,非常適合在其表面利用CVD方法生長(cháng)各種納米材料。

化學(xué)特性:
氮化硅薄膜窗口是惰性襯底。

應用簡(jiǎn)介和優(yōu)點(diǎn):
1
、 適合TEM、SEM、AFM、XPS、EDX等的對同一區域的交叉配對表征。
2
、 大窗口尺寸,適合TEM大角度轉動(dòng)觀(guān)察。
3
、 無(wú)碳、無(wú)雜質(zhì)的清潔TEM觀(guān)測平臺。
4
、 背景氮化硅無(wú)定形、無(wú)特征。
5
、 耐高溫、惰性襯底,適應各種聚合物、納米材料、半導體材料、光學(xué)晶體材料和功能薄膜材料的制備環(huán)境,(薄膜直接沉積在窗口上)。
6
、 生物和濕細胞樣本的理想承載體。特別是在等離子體處理后,窗口具有很好的親水性。。
7
、 耐高溫、惰性襯底,也可以用于化學(xué)反應和退火效應的原位表征。
8
、 適合做為膠體、氣凝膠、有機材料和納米顆粒等的表征實(shí)驗承載體。

氮化硅薄膜應用范圍非常廣,甚至有時(shí)使不可能變?yōu)榭赡?,但所有應用都有無(wú)氮要求(因樣本中有氮存在):
惰性基片可用于高溫環(huán)境下,通過(guò)TEM、SEMAFM(某些情況下)對反應進(jìn)行動(dòng)態(tài)觀(guān)察。
作為耐用基片,首先在TEM下,然后在SEM下對同一區域進(jìn)行匹配。
作為耐用匹配基片,對AFMTEM圖像進(jìn)行比較。
聚焦離子束(FIB)樣本的裝載,我們*使用多孔薄膜,而非不間斷薄膜。


許多研究納米微粒,特別是含氮納米微粒的人員發(fā)現此種薄膜窗格在他們實(shí)驗中*。氣凝膠和干凝膠的基本組成微粒尺寸極小,此項研究人員也同樣會(huì )發(fā)現氧化硅薄膜窗格的價(jià)值。
優(yōu)點(diǎn):
• SEM
應用中,薄膜背景不呈現任何結構和特點(diǎn)。
• x-
射線(xiàn)顯微鏡中,裝載多個(gè)分析樣的*方法。
無(wú)氮
高溫應用,氮化硅薄膜在
1000°C高溫下仍能保持穩定的性能。

使用前清潔:
氮化硅薄膜窗格在使用前不需進(jìn)行額外清潔。有時(shí)薄膜表面邊角處會(huì )散落個(gè)別氧化物或氮化物碎片。由于單片網(wǎng)格需要從整個(gè)硅片中分離,并對外框進(jìn)行打磨,因此這些微小碎片不可避免。盡管如此,我們相信這些碎片微粒不會(huì )對您的實(shí)驗產(chǎn)生任何影響。

如果用戶(hù)確實(shí)需要對這些碎片進(jìn)行清理,我們建議用H2SO4 : H2O2 (1:1)溶液清潔有機物,用H2O:HCl: H2O2 (5:3:3)溶液清潔金屬。

通常不能用超聲波清洗器清潔薄膜,因超聲波可能使其粉碎性破裂。

 

 

:admin@shnti.com

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