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碳化硅SiC長(cháng)晶設備

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碳化硅SiC長(cháng)晶設備
是實(shí)現高質(zhì)量SiC晶體生長(cháng)、高純度原料合成、高溫晶體熱處理的專(zhuān)業(yè)設備。廣泛應用于SiC晶體生長(cháng)、原料合成、晶體熱處理領(lǐng)域??梢陨L(cháng)6/8英寸的晶錠。

產(chǎn)品型號:
更新時(shí)間:2024-06-17
廠(chǎng)商性質(zhì):代理商
訪(fǎng)問(wèn)量:579

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產(chǎn)品分類(lèi)
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碳化硅SiC長(cháng)晶設備

是實(shí)現高質(zhì)量SiC晶體生長(cháng)、高純度原料合成、高溫晶體熱處理的專(zhuān)業(yè)設備。廣泛應用于SiC晶體生長(cháng)、原料合成、晶體熱處理領(lǐng)域??梢陨L(cháng)6/8英寸的晶錠。

碳化硅SiC長(cháng)晶設備

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真空爐腔系統較為限本底真空值達到≤5.0E-5Pa,升壓率≤3Pa/12h,保證晶體生長(cháng)的穩定性

.智能化生長(cháng)及監測系統,實(shí)現多種制程精確定制,工藝優(yōu)化,長(cháng)晶全過(guò)程實(shí)時(shí)監控,數據可視化存檔

.新型感應加熱線(xiàn)圈設計,有效提高熱場(chǎng)加熱的均勻性和穩定性
.業(yè)內1st創(chuàng )的PIM自檢系統,有效減免制程時(shí)間浪費
.穩定可靠的水冷系統,實(shí)現了水道管路溫度、流量的實(shí)時(shí)監控,保證了生長(cháng)室溫場(chǎng)的穩定性
.可生產(chǎn)6英寸P級碳化硅襯底,微管缺陷密度<0.5個(gè)/cm2,電阻率達0.015-0.0280


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